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2025下半年 三星将使用中国存储专利技术生产芯片

快科技2月27日消息,据国外媒体最新消息称,三星将在今年下半年,开始使用中国存储专利技术生产相应的芯片。

近期,三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术的专利许可协议。

按照消息人士的说法,三星计划于2025年下半年量产下一代V10 NAND,将使用长江存储的专利技术,特别是在“混合键合”技术方面。

三星之所以选择向长江存储获取“混合健合”专利授权,主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。并且三星经过评估认为,从下一代V10 NAND开始,其已经无法再避免长江存储专利的影响。

对于中国存储行业来说,这确实是振奋人心的消息,毕竟大家从落后一直到赶超,这也从侧面反映了中国科技自主创新的成果。

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